意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术：将打造8英寸SiC晶

，意法半导体和半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一步碳化硅衬底的合作计划意法半导体将在未来18个月内完成Soitec SiC衬底技术的产前认证测试此次合作的目标是意法半导体将采用Soitec的SmartSiC技术制造未来的8英寸碳化硅衬底，推动公司的碳化硅器件和模块制造业务，并在中期实现量产

碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料在电动汽车和工业过程领域的重要高增长功率应用中，碳化硅的固有特性使得碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体本站了解到，碳化硅可以实现更高效的功率转换，更紧凑和更轻便的设计，并节省整体系统设计成本——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素从6英寸晶圆升级到8英寸晶圆，几乎可以使制造集成电路的可用面积增加一倍，每片晶圆上的有效芯片良率是升级前的1.8—1.9倍，从而大大提高了产能

SmartSiC是Soitec的专有技术基于Soitec专有的SmartCut技术，从高质量的碳化硅施主晶片上切下一个薄层，并结合到低电阻多晶硅晶片的表面进行处理处理后的基板可以有效提高芯片的性能和制造良率此外，高质量的碳化硅施主晶片可以多次重复使用，因此可以大大降低施主加工的总能耗

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