消息称三星3nmGAA工艺良率仍远低于客户要求，试产良率仅20%

据 DIGITIMES 报道，三星电子的 3nm GAA 工艺良率仍远远落后于其目标根据一份报道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工艺良率，该工艺良率刚刚达到 10% 至 20% 之间三星 4nm 工艺制造的良率也不尽如人意，仅为 30%—35%

报道称，三星计划在 2023 年引入第二代 3 纳米工艺，届时或将开始积极为代工客户服务。

市场消息人士认为，三星第一代 3nm GAA 工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用但该消息人士称，三星的第二代 3nm 工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产

该消息人士指出，台积电在转向 GAA 晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察台积电极有可能拥有基于 GAA 的 2nm，目标是在 2025 年投产

据称，三星电子规划今年实现 3 纳米制程芯片量产，不过业内传言当前工艺的试产良率不尽如人意，仅达到约两成，低良率带来的高成本，使三星在 3 纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nm，5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。。

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