国产闪存跳级式发展：明年追上232层与三星技术差距只有1年

昨晚，美光宣布量产232层闪存，这是全球首款突破200层的闪存是目前速度最快，密度最大的TLC闪存接下来将量产三星，凯夏，西部数据，SK海力士的200+层闪存

在闪存行业，国内厂商长江内存也在奋起直追，他们采取的策略不同，都是跨越式发展中间会穿越一些过渡性的闪存64层闪存量产后，将进入128层，跳过中间的96层闪存

目前长江存储生产的主要闪存是128层，今年下半年将进一步升级到192层超过200层的闪存也正在开发中最早2023年底可以看到232层闪存，慢一点的话2024年完成

如果明年看到国产232层闪存，说明从技术上讲，国产闪存与三星，美光，SK海力士等公司的差距只有一年左右，而且提升非常快。

当然，技术差距的缩短是一方面目前国内闪存的主要问题是产能不足，全球份额在5%左右三星份额超过35%，收购英特尔闪存业务的凯夏和SK海力士也在20%左右未来几年，提高产能，抢占市场份额仍将是国产闪存努力的方向

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